制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
集电极—基极电压 VCBO:700 V
发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
集电极—射极饱和电压:1.5 V
最大直流电集电极电流:3 A
增益带宽产品fT:4 MHz
最大工作温度:+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值:30
封装:Cut Tape
封装:Reel
商标:Taiwan Semiconductor
集电极连续电流:3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:4
Pd-功率耗散:60 W
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:1000
子类别:Transistors
单位重量:1.800 g