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TSC136CZ C0G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor
TSC136CZ C0G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V

集电极—基极电压 VCBO:700 V

发射极 - 基极电压 VEBO:9 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

最大直流电集电极电流:3 A

增益带宽产品fT:4 MHz

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:30

封装:Cut Tape

封装:Reel

商标:Taiwan Semiconductor

集电极连续电流:3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:4

Pd-功率耗散:60 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:1.800 g

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